相变记忆材料

摘要

本文描述了相变记忆材料，更具体描述了适用于相变记忆应用，如光学和电子数据存储的碲化GeAs材料。

主权项

一种相变记忆材料，其包含：a. 包含具有至少一种六方相的组合物的晶化薄膜；或b. 在晶化形式下能具有至少一种六方相的可晶化组合物；按原子百分比计，所述组合物由以下组分组成：10‑30的Ge；15‑30的As和Sb的组合，其中As的原子百分比大于Sb的原子百分比；50‑60的Te；以及Al、Si、Ga、In、Sn、Tl、Pb、Bi、P、S或其组合。