| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：沟槽型的金属氧化物半导体场效应晶体管，形成于n型半导体衬底中；集成的肖特基二极管，位于该金属氧化物半导体场效应晶体管旁边，且包括与该n型半导体衬底接触的正极金属层；以及沟槽隔离结构，位于该金属氧化物半导体场效应晶体管和该肖特基二极管之间，从而阻挡该金属氧化物半导体场效应晶体管的p型阱掺杂区的一部分朝向该肖特基二极管扩散，其中该p型阱掺杂区具有经该沟槽隔离结构下方横向扩散到该肖特基二极管的靠近该沟槽隔离结构的部分区域中的突出部。 | ||
| 申请公布号 | CN102456690B | 申请公布日期 | 2014.07.02 |
| 申请号 | CN201010526997.6 | 申请日期 | 2010.10.22 |
| 申请人 | 成都芯源系统有限公司 | 发明人 | 张磊;李铁生 |
| 分类号 | H01L27/06(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/822(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 陶凤波;冯玉清 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：沟槽型的金属氧化物半导体场效应晶体管，形成于n型半导体衬底中；集成的肖特基二极管，位于该金属氧化物半导体场效应晶体管旁边，且包括与该n型半导体衬底接触的正极金属层；以及沟槽隔离结构，位于该金属氧化物半导体场效应晶体管和该肖特基二极管之间，从而阻挡该金属氧化物半导体场效应晶体管的p型阱掺杂区的一部分朝向该肖特基二极管扩散，其中该p型阱掺杂区具有经该沟槽隔离结构下方横向扩散到该肖特基二极管的靠近该沟槽隔离结构的部分区域中的突出部。 | ||
| 地址 | 610000 四川省成都市高新西区出口加工区(西区)科新路8号 | ||