| 发明名称 | n-i-n型电光调制器 | ||
| 摘要 | 本发明涉及光通信中的光电子器件领域，公开了一种n-i-n型电光调制器，从下至上依次包括：衬底、下欧姆接触层、下限制层、下导波层、有源层、上导波层、上限制层和上欧姆接触层，上、下限制层为N型掺杂结构；所述有源层的禁带宽度为E<sub>g1</sub>、折射率为n1，上、下导波层的禁带宽度为E<sub>g2</sub>、折射率为n2，上、下限制层的禁带宽度为E<sub>g3</sub>、折射率为n3，禁带宽度满足E<sub>g1</sub>＞E<sub>g3</sub>＞E<sub>g2</sub>的关系，折射率满足n2＞n1＞n3的关系。本发明能够改善电光调制器的调制特性。 | ||
| 申请公布号 | CN102520531B | 申请公布日期 | 2014.07.02 |
| 申请号 | CN201110424539.6 | 申请日期 | 2011.12.16 |
| 申请人 | 清华大学 | 发明人 | 孙长征;郭丽丽;熊兵;罗毅;赵湘楠 |
| 分类号 | G02F1/017(2006.01)I | 主分类号 | G02F1/017(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人 | 王莹 |
| 主权项 | 一种n‑i‑n型电光调制器，从下至上依次包括：衬底、下欧姆接触层、下限制层、下导波层、有源层、上导波层、上限制层和上欧姆接触层，所述上、下限制层为N型掺杂结构；所述有源层的禁带宽度为E<sub>g1</sub>、折射率为n1，所述上、下导波层的禁带宽度为E<sub>g2</sub>、折射率为n2，所述上、下限制层的禁带宽度为E<sub>g3</sub>、折射率为n3，其特征在于，禁带宽度满足E<sub>g1</sub>>E<sub>g3</sub>>E<sub>g2</sub>的关系，折射率满足n2>n1>n3的关系。 | ||
| 地址 | 100084 北京市海淀区清华园北京100084-82信箱 | ||