半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体器件及其制造方法。根据本发明的半导体器件包括：n+型碳化硅衬底；设置在该n+型碳化硅衬底的第一表面上的第一p型柱状区和n-型外延层；依次设置在n-型外延层上的p型外延层和n+区；贯穿n+区和p型外延层且设置在n-型外延层上的沟槽；设置在该沟槽内的栅极绝缘膜；设置在该栅极绝缘膜上的栅极；设置在该栅极上的氧化膜；设置在该p型外延层、n+区和氧化膜上的源极；以及位于n+型碳化硅衬底的第二表面上的漏极，其中第一p型柱状区设置在n-型外延层内，并且第一P型柱状区设置在沟槽的下方且与沟槽间隔开。

主权项

一种半导体器件，包括：n+型碳化硅衬底；设置在所述n+型碳化硅衬底的第一表面上的第一p型柱状区和n‑型外延层；依次设置在所述n‑型外延层上的p型外延层和n+区；贯穿所述n+区和所述p型外延层且设置在所述n‑型外延层上的沟槽；设置在所述沟槽内的栅极绝缘膜；设置在所述栅极绝缘膜上的栅极；设置在所述栅极上的氧化膜；设置在所述p型外延层、n+区和氧化膜上的源极；以及位于所述n+型碳化硅衬底的第二表面上的漏极，其中所述第一p型柱状区设置在所述n‑型外延层内，并且所述第一p型柱状区设置在所述沟槽的下方，与所述沟槽间隔开。