包括气隙的半导体器件及其制造方法

摘要

本技术提供了一种半导体器件及其制造方法，可以减小相邻的导电结构之间的寄生电容。制造半导体器件的方法可以包括以下步骤：在衬底之上形成多个位线结构；在位线结构之间形成接触孔；在接触孔的侧壁之上形成牺牲间隔件；形成凹陷在各个接触孔内的第一插塞；通过去除牺牲间隔件来形成气隙；形成覆盖气隙且同时暴露出第一插塞的顶表面的覆盖结构；以及在第一插塞之上形成第二插塞。

主权项

一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：在衬底之上形成多个位线结构；在所述位线结构之间形成接触孔；在所述接触孔的侧壁之上形成牺牲间隔件；形成凹陷在各个接触孔中的第一插塞；通过去除所述牺牲间隔件来形成气隙；形成覆盖所述气隙且同时暴露出所述第一插塞的顶表面的覆盖结构；以及在所述第一插塞之上形成第二插塞。