一种具有网状外延结构的超结MOSFET

摘要

本发明属于半导体技术领域，公开了一种具有网状外延结构的超结MOSFET，包括：衬底、网状外延层、阱区、结型场效应管JFET区、栅介质层、多晶硅栅极、隔离介质层、金属源电极以及金属漏电极；在网状外延层生长在衬底上；阱区与结型场效应管JFET区相间生长在网状外延层顶部；栅介质层覆盖在阱区与结型场效应管JFET区顶部；多晶硅栅极覆盖在栅介质层上；隔离介质层覆盖多晶硅栅极顶部；金属源电极覆盖所述隔离介质层；金属漏电极位于衬底底部。本发明通过网状外延层，使得器件处于阻断状态时，不存在由外延层底部直接指向表面栅极附近的电场，从而避免器件处于阻断状态并受到重离子轰击时，由外延层底部流向表面栅极附近的电流通路，提高器件抗单粒子能力。

主权项

一种具有网状外延结构的超结MOSFET，其特征在于，包括：衬底、网状外延层、阱区、结型场效应管JFET区、栅介质层、多晶硅栅极、隔离介质层、金属源电极以及金属漏电极；所述网状外延层生长在所述衬底上；所述阱区与所述结型场效应管JFET区相间生长在所述网状外延层顶部；所述栅介质层覆盖在所述阱区与所述结型场效应管JFET区顶部；所述多晶硅栅极覆盖在所述栅介质层上；所述隔离介质层覆盖所述多晶硅栅极顶部；所述金属源电极覆盖所述隔离介质层；所述金属漏电极位于所述衬底底部。