| 发明名称 | 控制器件阈值电压的CMOSFETs结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种利用栅叠层结构控制器件阈值电压的CMOSFETs结构及其制造方法。结构包括：硅衬底；在硅衬底上生长的SiO<sub>2</sub>界面层；在SiO<sub>2</sub>界面层上沉积的高k栅介质层；在高k栅介质层上沉积的极薄金属层；在极薄金属层结构上沉积的高k栅介质层；在高k栅介质叠层结构上沉积的金属栅层。制造方法是在NMOS和PMOS器件区域的高k栅介质层内部分别沉积极薄金属层，利用该极薄金属层在高k栅介质层内部形成的正或负电荷来调整器件的平带电压，进而控制器件的阈值电压。利用本发明，不仅可以增强CMOS器件中高k栅介质和SiO<sub>2</sub>界面层间的界面偶极子，而且还可以很好的控制高k栅介质层内部的固定电荷类型和数量，有效地控制器件的阈值电压。 | ||
| 申请公布号 | CN101930979B | 申请公布日期 | 2014.07.02 |
| 申请号 | CN200910087807.2 | 申请日期 | 2009.06.26 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 王文武;朱慧珑;陈世杰;陈大鹏 |
| 分类号 | H01L27/092(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L29/49(2006.01)I;H01L29/51(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/283(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/092(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 周国城 |
| 主权项 | 一种利用栅叠层结构控制器件阈值电压的CMOSFETs结构，其特征在于，该结构包括：硅衬底；在硅衬底上生长的SiO<sub>2</sub>界面层；在SiO<sub>2</sub>界面层上沉积的高k栅介质层；在高k栅介质层上沉积的极薄金属层；在极薄金属层结构上沉积的高k栅介质层；在高k栅介质叠层结构上沉积的金属栅层；对于NMOS器件，极薄金属层的材料包括稀土金属Y、La、Dy和Gd中的任一种；对PMOS器件，极薄金属层的材料包括金属Al、Mg的任一种。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||