发明名称 非易失性存储器中感测期间的基于数据状态的温度补偿
摘要 通过在验证和读操作期间提供依赖数据状态的、并且可选地依赖温度的感测电流来克服非易失性存储器件中的温度影响。对每个数据状态(2)提供不同的感测电流(1),使得对于具有不同数据状态的存储元件实现共同的温度系数(3)。较高状态的温度系数可以被降低到较低状态的温度系数。在感测期间,可以调整感测时间以在所选存储元件处于导电状态时实现期望的感测电流。可以维持固定的电压行进点。在感测时间期间,当所选存储元件处于导电状态时,预充电的电容器诸如经由位线和NAND串放电到所选存储元件中。放电水平被翻译为与依赖于状态的、并且可选地依赖于温度的参考电流相比较的电流。
申请公布号 CN102160119B 申请公布日期 2014.07.02
申请号 CN200980136731.6 申请日期 2009.09.09
申请人 桑迪士克科技股份有限公司 发明人 莫汉·V·邓加;东谷政昭
分类号 G11C11/56(2006.01)I;G11C16/26(2006.01)I 主分类号 G11C11/56(2006.01)I
代理机构 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人 黄小临
主权项 一种操作非易失性存储器的方法,包括:每次一个地将多个电压(VCGR‑A、VCGR‑B、VCGR‑C)施加到所选非易失性存储元件(408‑422)的控制栅极(100CG);以及在施加每个电压时,将至少一个电流源(804)耦合到所选非易失性存储元件;感测流过所选非易失性存储元件的电流(ISENSE);以及将所感测的电流与对所述电压中的至少两个而不同的参考电流(ISENSE‑A、ISENSE‑B、ISENSE‑C)相比较,其中:根据不同数据状态的不同温度系数相对于电流的关系(520、522、524)设置所述参考电流。
地址 美国得克萨斯州