发明名称 磁滞比较器
摘要 本发明涉及一种磁滞比较器。在一个实施方式的磁滞比较器中,设有第一至三电流源、比较放大部、基准电压产生部、电流镜电路、第一至五Nch MOS晶体管、以及第一至五端子。
申请公布号 CN102386895B 申请公布日期 2014.07.02
申请号 CN201110067034.9 申请日期 2011.03.18
申请人 株式会社东芝 发明人 上野昭司
分类号 H03K5/22(2006.01)I 主分类号 H03K5/22(2006.01)I
代理机构 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人 徐冰冰;黄剑锋
主权项 一种磁滞比较器,其特征在于,具备:基准电压产生部,对一端侧施加第一电压,使用多个电阻,对上述第一电压进行分压,产生基准电压;比较放大部,设置在高电位侧电源与低电位侧电源之间,具有形成差分对的第一和第二晶体管,对上述第一晶体管的栅极输入输入电压,对上述第二晶体管的栅极输入上述基准电压;第三晶体管,设置在上述基准电压产生部的另一端与上述低电位侧电源之间;第四晶体管,设置在上述高电位侧电源与上述低电位侧电源之间,对栅极输入上述比较放大部的输出信号;第一电流源,一端连接于上述高电位侧电源,使第一电流流过另一端侧;第五晶体管,第一端子连接于上述第一电流源的另一端,被进行二极管连接;第六晶体管,设置在上述第五晶体管的第二端子与上述基准电压产生部的另一端之间,栅极连接于上述第三晶体管的栅极和上述第四晶体管的第一端子,基于上述第四晶体管的第一端子的电位,使上述第五晶体管的第二端子与上述基准电压产生部的另一端之间连接起来;第二电流源,一端连接于上述高电位侧电源,使上述第一电流的n倍的第二电流流过另一端侧,其中,n大于等于2;第七晶体管,第一端子连接于上述第二电流源的另一端,栅极连接于上述第五晶体管的栅极,与上述第五晶体管构成电流镜电路,输出输出电压;以及第八和第九晶体管,设置在上述第七晶体管的第二端子与上述低电位侧电源之间,进行级联连接,在上述比较放大部动作时导通,上述第八晶体管的栅极与上述第九晶体管的栅极连接,上述第八晶体管的第二端子与上述第九晶体管的第一端子连接。
地址 日本东京都