| 发明名称 | 形成埋入式沟槽的工艺方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种形成埋入式沟槽的工艺方法，该方法在刻蚀出埋入式沟槽的形貌后，进行湿法清洗前，首先在埋入式沟槽的底部和侧壁生长一层致密的线性氧化层，然后通过干法回刻，去除埋入式沟槽底部的线性氧化层。本发明通过在掺杂多晶硅与外延层的接触界面上形成比常规工艺中的自然氧化层更厚、更致密的线性氧化层，降低了掺杂多晶硅与外延层接触面的缺陷和应力，避免了位错，从而有效降低了Idss漏电。 | ||
| 申请公布号 | CN103903983A | 申请公布日期 | 2014.07.02 |
| 申请号 | CN201210567513.1 | 申请日期 | 2012.12.24 |
| 申请人 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 蒋玲;章宇翔;雷海波;徐云;廖炳隆;马香柏;杨剑 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 刘昌荣 |
| 主权项 | 形成埋入式沟槽的工艺方法，其特征在于，在刻蚀出埋入式沟槽的形貌后，进行湿法清洗前，包括以下步骤：1）在埋入式沟槽的底部和侧壁生长线性氧化层；2）干法回刻，去除埋入式沟槽底部的线性氧化层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 | ||