半导体装置

摘要

一种SiC半导体装置，包括：反转型MOSFET，所述MOSFET包括：基底(1)；基底上的漂移层(2)和基极区(3)；基极区上的基极接触层(5)和源极区(4)；多个沟槽(6)，具有在第一方向上的纵向方向，沟槽(6)穿透所述源极区和所述基极区；经由栅极绝缘膜(8)处于每个沟槽中的栅极电极(9)；中间层绝缘膜(12)，覆盖所述栅极电极并具有接触孔(12a)，所述源极区和所述基极接触层通过所述接触孔(12a)得到暴露；源极电极(11)，通过所述接触孔与所述源极区和所述基极区电耦合；以及所述基底上的漏极电极(13)。源极区和基极接触层沿垂直于第一方向的第二方向延伸，并且沿第一方向交替布置。接触孔具有在所述第一方向上的纵向方向。

主权项

一种SiC半导体装置，包括：反转型MOSFET，其中，所述MOSFET包括：基底（1），具有第一导电类型或第二导电类型，并由SiC制成；漂移层（2），具有所述第一导电类型并由SiC制成，其中，所述漂移层（2）设置于所述基底（1）上并且杂质浓度比所述基底（1）的杂质浓度低；基极区（3），具有所述第二导电类型并由SiC制成，其中，所述基极区（3）设置于所述漂移层（2）上；基极接触层（5），具有所述第二导电类型并由SiC制成，其中，所述基极接触层（5）设置于所述基极区（3）上并且杂质浓度比所述基极区（3）的杂质浓度高；源极区（4），具有所述第一导电类型并由SiC制成，其中，所述源极区（4）设置于所述基极区（3）上并且杂质浓度比所述漂移层（2）的杂质浓度高；多个沟槽（6），具有在第一方向上的条带图案，所述第一方向作为所述条带图案的纵向方向，其中，每个沟槽（6）设置于所述源极区（4）的表面上、穿透所述基极区（3）并到达所述漂移层（2）；栅极绝缘膜（8），设置于每个沟槽（6）的内壁上；栅极电极（9），设置于每个沟槽（6）中的所述栅极绝缘膜（8）上；中间层绝缘膜（12），覆盖所述栅极电极（9）并具有接触孔（12a），所述源极区（4）和所述基极接触层（5）通过所述接触孔（12a）从所述中间层绝缘膜（12）得到暴露；源极电极（11），通过所述接触孔（12a）与所述源极区（4）和所述基极区（3）电耦合；以及漏极电极（13），设置于所述基底（1）上并与所述漂移层（2）相对，其中，所述MOSFET在所述基极区（3）的设置于每个沟槽（6）的侧壁上的表面部分中提供反转沟道区域，其中，所述MOSFET控制至所述栅极电极（9）的施加电压，使得生成所述反转沟道区域，并且所述MOSFET使电流经由所述源极区（4）和所述漂移层（2）在所述源极电极（11）与所述漏极电极（13）之间流动，其特征在于，其中，所述源极区（4）和所述基极接触层（5）沿第二方向延伸，所述第二方向垂直于所述第一方向，其中，所述源极区（4）和所述基极接触层（5）沿所述第一方向交替布置，并且其中，所述接触孔（12a）具有在所述第一方向上的纵向方向。