鳍式场效电晶体、半导体装置及其制造方法;CONTACT STRUCTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICE

摘要

本发明系关于一半导体装置之一接触结构。在一实施例中，此半导体装置之结构包含：一绝缘区于一基材上；一包含一闸极中线之闸极电极层于此绝缘层上；一包含一第一中线之第一接触结构，位于此绝缘区上并邻接此闸极电极；其中此第一中线与此闸极中线具有一第一距离；一包含一第二中线之第二接触结触结构，位于此绝缘区上及此闸极电极层之相对于此第一接触结构之另一侧上，其中此第二中线及此闸极中线具有一大于此第一距离之第二距离。