半导体装置;SEMICONDUCTOR DEVICE

摘要

半导体装置，其包括在基板上整合的第一电晶体及第二电晶体。第一电晶体及第二电晶体的各者包括奈米尺寸主动区，奈米尺寸主动区包括配置在奈米尺寸主动区的个别端部中的源极区及汲极区及配置在源极区及汲极区之间的通道形成区。第一电晶体的源极区及汲极区的导电型与第二电晶体的源极区及汲极区相同，而第二电晶体的临界电压低于第一电晶体的临界电压。第二电晶体的通道形成区可包括均质掺杂区，均质掺杂区的导电型与第二电晶体的源极区及汲极区相同且与第一电晶体的通道形成区不同。