半导体元件的单元接触和位元线的制作方法

摘要

本发明提出位在第二导电层上之一氮化矽层之运用方式，在蚀刻第二导电层之后，形成一氧化矽侧壁子以定义出一间隔，然后形成另一氮化矽层填满前述之间隔，接着，移除氧化矽侧壁子，最后蚀刻第一导电层以将位元线和单元接触线分开。

主权项

一种半导体元件的单元接触和位元线的制作方法，包含：提供一基底；形成一第一导电层、一第二导电层、一第一氮化矽层由下至上排列于基底上；图案化该第一氮化矽层和该第二导电层以形成复数条线形遮罩；分别形成一对侧壁子于各该线形遮罩之两侧，其中各该侧壁子之间定义出一间隔；形成一第二氮化矽层填满该间隔；移除该等侧壁子；以及以该第二氮化矽层和该等线形遮罩作为遮罩，移除部分之该第一导电层。