研磨液及使用它之研磨方法

摘要

本发明提供一种用来研磨含钌障壁层的研磨液，该研磨液使用在化学机械研磨中用于在其表面上具有含钌障壁层及导电金属配线的半导体装置，该研磨液包含氧化剂；及该研磨微粒具有莫氏硬度标硬度5或更高且具有主要组分非为二氧化矽(SiO2)之组成物。本发明亦提供一种用于半导体装置的化学机械研磨之研磨方法，该方法让该研磨液与欲研磨的基材表面接触及让从研磨垫至欲研磨表面的接触压力从0.69千帕至20.68千帕来研磨欲研磨的表面。

主权项

一种用来研磨含钌障壁层的研磨液，该研磨液使用在化学机械研磨中用于在其表面上具有含钌障壁层及导电金属配线的半导体装置，该含钌障壁层之钌膜系藉由原子层沉积(ALD)方法所形成，及该研磨液包含：过氧化氢；及具有莫氏硬度标硬度5或更高且具有主要组分非为二氧化矽(SiO2)之组成物的研磨微粒；及阳离子四级铵盐化合物。