用于在热处理过程中支撑由单晶矽构成的半导体晶圆的支撑环、用于热处理这种半导体晶圆的方法、以及由单晶矽构成的热处理后的半导体晶圆

摘要

本发明揭露了一种用于在半导体晶圆的热处理过程中支撑由单晶矽构成的半导体晶圆的支撑环，包括：外侧表面、内侧表面、和从外侧表面延伸到内侧表面的用于放置半导体晶圆的弯曲表面，如果弯曲表面被设计用于放置具有300毫米的直径的半导体晶圆，则所述弯曲表面的曲率半径不小于6000毫米且不大于9000毫米，或如果弯曲表面被设计用于放置具有450毫米的直径的半导体晶圆，则所述弯曲表面的曲率半径不小于9000毫米且不大于14000毫米。本发明还揭露了一种用于这种半导体晶圆的热处理的方法和一种由单晶矽构成的热处理后的半导体晶圆。

主权项

一种用于在半导体晶圆的热处理过程中支撑由单晶矽构成的半导体晶圆的支撑环，包括：外侧表面、内侧表面、和从外侧表面延伸到内侧表面的用于放置半导体晶圆的弯曲表面，如果弯曲表面被设计用于放置具有300毫米的直径的半导体晶圆，则所述弯曲表面的曲率半径不小于6000毫米且不大于9000毫米，或如果弯曲表面被设计用于放置具有450毫米的直径的半导体晶圆，则所述弯曲表面的曲率半径不小于9000毫米且不大于14000毫米，且其中该弯曲表面在材料深度t为2微米时具有不小于85%的材料比例Rmr(t)。