发明名称 |
垂直式二极体元件及二极体阵列 |
摘要 |
一种垂直式二极体元件。埋入式金属线配置于具有第一导电型之基底中。绝缘层配置于基底与埋入式金属线之间,且曝露埋入式金属线之侧壁的一部分。接点配置于基底中,且位于埋入式金属线之经绝缘层曝露之侧壁的部分上。具有第二导电型之第一掺杂区配置于基底中且位于埋入式金属线之一侧。第一掺杂区与接点接触,且接点之阻值低于第一掺杂区的阻值。具有第一导电型之第二掺杂区配置于第一掺杂区中。第二掺杂区未与接点接触。亦提出一种二极体阵列。 |
申请公布号 |
TWI443838 |
申请公布日期 |
2014.07.01 |
申请号 |
TW100128946 |
申请日期 |
2011.08.12 |
申请人 |
华邦电子股份有限公司 台中市大雅区科雅一路8号 |
发明人 |
许峻铭;张文岳 |
分类号 |
H01L29/861;H01L23/52 |
主分类号 |
H01L29/861 |
代理机构 |
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代理人 |
詹铭文 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1;叶璟宗 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1 |
主权项 |
一种垂直式二极体元件,包括:一具有一第一导电型之一基底;一埋入式金属线,配置于该基底中;一绝缘层,配置于该基底与该埋入式金属线之间,且曝露该埋入式金属线之一侧壁的一部分;一接点,配置于该基底中,且位于该埋入式金属线之经该绝缘层曝露之该侧壁的该部分上;具有一第二导电型之一第一掺杂区,配置于该基底中且位于该埋入式金属线之一侧,其中该第一掺杂区与该接点接触,且该接点之阻值低于该第一掺杂区的阻值;以及具有该第一导电型之一第二掺杂区,配置于该第一掺杂区中,其中该第二掺杂区未与该接点接触。 |
地址 |
台中市大雅区科雅一路8号 |