热丝化学气相沉积腔室之喷头设计;SHOWERHEAD DESIGNS OF A HWCVD CHAMBER

摘要

兹提供制程腔室及在该制程腔室内进行HWCVD制程和在基板表面上以两种或更多种来源化合物沉积薄膜的方法之实施例。在一些实施例中，该制程腔室包括位于金属细丝组件和基板处理区之间的喷头组件。该喷头组件包括喷头主体和双区面板，在该双区面板中具有复数个第一通道和第二通道。第一来源化合物被输送通过该金属细丝组件，以形成该第一来源化合物之自由基并通过该第一通道进入该基板处理区而不形成任何电浆。第二来源化合物被输送通过该喷头主体进入该双区面板之该第二通道，而不通过该金属细丝组件并且不与该自由基接触，直到到达该基板处理区。