三元钨硼氮化物膜及其形成方法;TERNARY TUNGSTEN BORIDE NITRIDE FILMS AND METHODS FOR FORMING SAME

摘要

提供三元钨硼氮化物(WBN)薄膜及其相关的形成方法。此些薄膜具有优异的热稳定性、可调整的电阻率及对氧化物的良好黏着性。形成此些薄膜的方法可涉及热原子层沈积(ALD)处理，其中以脉冲方式将含硼、含氮与含钨反应物相继导入反应室中以沈积WBN薄膜。在某些实施例中，该处理包含含硼、含氮与含钨反应物脉冲的复数循环且每一循环包含复数含硼脉冲。