发明名称 具有需要预置操作的主要记忆体单元与辅助记忆体单元之半导体装置
摘要 本发明揭示一种将输入资料传输至非挥发性记忆体装置的半导体装置。该半导体装置包含:一包括复数个资料元件的虚拟页面缓冲器;一包括对应复数个资料元件的遮罩缓冲器;控制逻辑电路系统,其用于:(i)在收到一触发程序后,将遮罩缓冲器资料元件之每一者设定至一第一逻辑状态;(ii)使输入资料写入选定的虚拟页面缓冲器资料元件;及(iii)使对应于该等选定虚拟页面缓冲器资料元件的这些遮罩缓冲器资料元件设定至一不同的逻辑状态;遮罩逻辑电路系统,其被组态可对于该等虚拟页面缓冲器资料元件之每一者,结合从中读取的资料与对应之遮罩缓冲器资料元件的逻辑状态而产生遮罩输出资料;及一输出介面,其被组态可将该遮罩输出资料释出至非挥发性记忆体装置。
申请公布号 TWI443658 申请公布日期 2014.07.01
申请号 TW098143317 申请日期 2009.12.17
申请人 莫斯艾得科技有限公司 加拿大 发明人 片 洪凡
分类号 G11C11/406;G11C11/4094 主分类号 G11C11/406
代理机构 代理人 李宗德 台北市大安区敦化南路2段218号5楼A区
主权项 一种将输入资料传输至一非挥发性记忆体装置的半导体装置,该半导体装置包含:一包括复数个资料元件的虚拟页面缓冲器;一包括复数个资料元件的遮罩缓冲器,该遮罩缓冲器的该等资料元件之每一者对应于该虚拟页面缓冲器的该等资料元件之一相应者;控制逻辑电路系统,其用以:(i)在收到一触发程序(trigger)后,将该遮罩缓冲器的该等资料元件之每一者设定至一第一逻辑状态;(ii)使输入资料写入该虚拟页面缓冲器的该等资料元件之选定者;及(iii)使对应于该虚拟页面缓冲器的该等资料元件之该等选定者之该遮罩缓冲器的这些资料元件设定至一不同于该第一逻辑状态的第二逻辑状态;遮罩逻辑电路系统,其被组态可对于该虚拟页面缓冲器的该等资料元件之每一者,结合从中读取的资料与该遮罩缓冲器的该等资料元件之对应者的逻辑状态而提供遮罩输出资料;及一输出介面,其被组态可将该遮罩输出资料释出至该非挥发性记忆体装置。
地址 加拿大