覆晶封装制造方法

摘要

一种非导电胶膜应用于覆晶封装技术之制造方法，系首先送入一上表面具有多个导电凸块之晶圆，将一非导电胶膜压合于该晶圆之上表面，再对该晶圆之一下表面进行薄化研磨程序。该晶圆切割为多个单一晶片后，准备至少一具有预设焊垫的载板，并以一覆晶装置执行热压合覆晶接合程序，使该非导电胶膜贴合于载板上并使该等单一晶片上的导电凸块刺穿压合于其上之该非导电胶膜，进而与载板上之预设焊垫接合，接着以该热压合覆晶装置执行高温热压焊接程序，以使该等至少单一晶片焊接于该至少一载板上。随后将该至少一载板移入一高压可升温之密闭烤箱装置中，并执行除泡程序，以消除气泡，最后再执行检查程序，如此不仅增强封装产品之可靠度甚而达到提高覆晶封装制程之效率、降低制造成本，并简化覆晶封装制造流程之功效。

主权项

一种覆晶封装制造方法，包括下列步骤：(A)送入一晶圆，该晶圆之一上表面上具有多个导电凸块；(B)将一非导电胶膜压合于该晶圆之该上表面；(C)对该晶圆之一下表面进行薄化研磨程序；(D)将该晶圆切割为复数个单一晶片；(E)准备至少一载板，其上具至少一相对于该导电凸块位置之预设焊垫，并以一覆晶装置执行热压合覆晶接合程序，使该非导电胶膜贴合于该载板上并使该复数个单一晶片上的该导电凸块刺穿压合于该非导电胶膜，进而与该载板上之该预设焊垫接合；(F)以该热压合覆晶装置执行高温热压焊接程序，以使该复数个单一晶片焊接于该至少一载板上；(G)将该至少一载板移入一密闭式高压并能升温之烤箱装置中，并执行除泡程序，以消除该至少一载板与贴合于其上之该非导电胶膜间接面之气泡、该非导电胶膜与该复数个单一晶片间接面之气泡、以及该非导电胶膜因覆晶受热过程中引起之气泡；以及(H)执行检查程序。