非挥发性记忆体装置及其制造方法;NONVOLATILE MEMORY DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

摘要

一非挥发性记忆体装置包括一浮动闸极，其系形成在一基板上方；一接触插塞，其系形成在该浮动闸极之一第一侧上，并配置为平行该浮动闸极，且具有一定义于其间的间隙；及一间隔物，其系形成在该浮动闸极之一侧壁上，并填充该间隙，其中该接触插塞及该浮动闸极具有一足够大的重叠面积，以致能该接触插塞操作如用于该浮动闸极之一控制闸极。