半导体装置;SEMICONDUCTOR DEVICE

摘要

氧化物层，其含有与包含通道的氧化物半导体层中所含有的相同的金属元素的至少之一，系形成与该氧化物半导体层的顶表面和底表面相接触，藉以介面状态不易产生在该氧化物半导体层的上介面和下介面的每一个中。另外，较佳的是，使用类似于该等氧化物层之材料和方法的材料和方法所形成之氧化物层系可形成在该等氧化物层之上。因此，该介面状态几乎不影响电子的移动。