具有双重工作函数闸极堆叠的半导体装置及其制造方法;SEMICONDUCTOR DEVICE WITH DUAL WORK FUNCTION GATE STACKS AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

摘要

一种用于制造半导体装置的方法包含以下步骤：在一基板上方形成一闸极介电层；在该闸极介电层上方形成一含金属层，该含金属层含有一有效工作函数调整物种；在该含金属层上方形成一抗反应层；增加该含金属层中所含之该有效工作函数调整物种的量；及藉由蚀刻该抗反应层、该含金属层与该闸极介电层而在该基板上形成一闸极堆叠。