具有多重临限电压之鳍式场效电晶体的制造方法;METHODS FOR FORMING FINFETS HAVING MULTIPLE THRESHOLD VOLTAGES

摘要

一种方法包括在第一及第二半导体鳍对应之第一及第二部分上形成第一及第二闸极堆叠。进行掺杂制程，对于第一及第二半导体鳍暴露之部分进行植入，以形成对应之第一及第二N型掺杂区域。每一第一及第二部分的部分区域均被保护不被植入。第一及第二N型掺杂区域邻近第一及第二闸极堆叠之边缘具有对应不同之闸极边缘间距。以氯自由基蚀刻第一及第二N型掺杂区域，以形成对应之第一及第二凹部。进行一磊晶制程，在第一及第二凹部中分别再生成第一半导体区域及第二半导体区域。