单一或多重闸极场平板之制造;FABRICATION OF SINGLE OR MULTIPLE GATE FIELD PLATES

摘要

本发明揭示一种用于制造单一或多重闸极场平板之方法，该方法使用在场效应电晶体之表面上之介电材料沈积/生长、介电材料蚀刻及金属蒸镀之连续步骤。因为介电材料沈积/生长通常为良好可控的过程，所以此制造方法允许基于场平板运作之严密控制。此外，沈积于装置表面上之介电材料不需自装置本质(intrinsic)区域移除：此基本上使得能够无需低损坏介电材料之乾式/湿式蚀刻而实现场平板装置。使用多重闸极场平板亦藉由多重连接而减少闸极电阻，因此而改良较大周边及/或次微米闸极装置之效能。