单晶碳化矽基板之表面处理方法及单晶碳化矽基板

摘要

本发明提供一种可高精度地控制单晶SiC基板的蚀刻速度、并准确地把握蚀刻量之表面处理方法。该表面处理方法中，藉由在Si的蒸汽压力下的加热处理而进行蚀刻单晶SiC基板之处理。并且，在进行该蚀刻时，藉由调整单晶SiC基板周围的气体氛围中的惰性气体压力来控制蚀刻速度。藉此，能够准确地把握蚀刻量。