发明名称 |
离子植入器及用于对离子植入器进行维护的方法;ION IMPLANTER AND METHOD FOR PERFORMING MAINTENANCE ON ION IMPLANTER |
摘要 |
一种离子植入器以及用于以减少离子植入器的停机时间同时增加产量的方式促进离子植入器的组件的维护的快速进行的方法。所述离子植入器包含:处理室;转移室,连接到所述处理室;第一隔离门,经配置以可控制地密封所述转移室以阻隔所述处理室;以及第二隔离门,经配置以可控制地密封所述转移室以阻隔大气环境,其中所述离子植入器的组件可在所述处理室与所述转移室之间转移以用于对所述处理室外部的所述组件进行维护。对所述离子植入器的组件进行维护包含以下步骤:将所述组件从所述处理室转移到所述转移室;密封所述转移室;将所述转移室通到大气压力;以及将所述转移室向大气环境开放。 |
申请公布号 |
TW201426823 |
申请公布日期 |
2014.07.01 |
申请号 |
TW102146204 |
申请日期 |
2013.12.13 |
申请人 |
瓦里安半导体设备公司 |
发明人 |
威波 亚隆P;卡尔森 查理斯T;福德哈斯 保罗;维弗 威廉T;宝佩特 罗伯特 布然特 |
分类号 |
H01L21/265(2006.01);H01L21/677(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/265(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
詹铭文 |
主权项 |
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地址 |
VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC. 美国 |