利用可切换功率发生器的高深宽比微结构刻蚀方法

摘要

本发明公开一种利用可切换功率发生器的高深宽比微结构刻蚀方法，高深宽比微结构刻蚀方法包含以下步骤：1、输入低功率低频信号激发等离子体，对晶圆上硬掩膜层，以及不定型碳层或有机掩膜层进行高深宽比微结构刻蚀；2、将低功率低频信号输入切换为高功率低频信号输入；3、高功率低频信号激发等离子体，对晶圆的二氧化矽层进行高深宽比微结构刻蚀。本发明根据工艺需要切换高频功率输出或低频功率输出，避免了采用高平功率发生器输出低频功率输出时造成的误差较大、重复性差的问题；实现功率输出的精确调节，提高产品合格率，降低成本。