制造应用于发光晶片之陶瓷封装基板

摘要

本发明中制造应用于发光晶片之陶瓷封装基板，系于该陶瓷封装基板形成深宽比为4/1~10/1之穿孔，再以阴极电弧蒸镀方式于该陶瓷封装基板表面以及穿孔之壁面形成具导电作用之第一导电层；再经光阻、曝光、显影等制程形成图案化乾膜光阻；然后经电镀镀膜步骤于未有光阻覆盖之第一导电层上形成第二导电层及填孔；接着，去除乾膜光阻，最后在蚀刻而形成线路层，以完成陶瓷封装基板之线路化，而可直接供发光晶片封装使用。

主权项

一种制造应用于发光晶片之陶瓷封装基板，其至少包含下列步骤：提供一陶瓷封装基板；钻孔步骤，使该陶瓷封装基板形成深宽比为4/1~10/1之穿孔；阴极电弧蒸镀步骤，于该陶瓷封装基板表面以及穿孔之壁面形成第一导电层；黄光微影成像步骤，使用乾膜光阻覆盖于第一导电层上，并将该乾膜光阻图案化；电镀镀膜步骤，于未有光阻覆盖之第一导电层上形成第二导电层，并且将该穿孔填满导通；剥膜步骤，使用化学药剂将覆盖于该第一导电层上之乾膜光阻去除；蚀刻步骤，将未有第二导电层覆盖之第一导电层蚀刻移除，而形成线路层。