发明名称 |
增加含碳离子化种类的产量的方法、增加含碳离子化种类电流的方法以及将含碳离子化种类植入至基底中的方法 |
摘要 |
为了植入含碳种类,在离子室中离子化含碳气体。这些气体的离子化通常会产生许多离子化种类。然而,许多这些所产生的离子化种类对于想要的植入无益,因为他们仅包含非碳原子。在进行植入之前必须消除这些种类,而仅留下基于碳的种类。然而,想要的种类的电流可能很低,因此需藉由额外的能量或时间才能将想要的剂量的碳植入基底。此可藉由使用第二气体来改善。此第二气体用来稀释主要的含碳气体以使其于离子室中离子化。藉由结合此;稀释气体,更多的所产生的离子化种类对于碳植入有利。 |
申请公布号 |
TWI443717 |
申请公布日期 |
2014.07.01 |
申请号 |
TW098104322 |
申请日期 |
2009.02.11 |
申请人 |
瓦里安半导体设备公司 美国 |
发明人 |
钱尼 奎格R;多利 阿多夫R;汉特曼 克里斯多夫R;培尔 艾力克斯恩德S |
分类号 |
H01L21/265 |
主分类号 |
H01L21/265 |
代理机构 |
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代理人 |
詹铭文 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1;萧锡清 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1 |
主权项 |
一种增加含碳离子化种类的产量的方法,包括:供应包括碳的处理气体至离子室;供应稀释气体至所述离子室;离子化所述处理与稀释气体,藉以使所述处理气体因所述稀释气体的存在而相较于没有所述稀释气体时产生较高的含碳离子化种类电流。 |
地址 |
美国 |