选择性沉积含矽膜之方法

摘要

提供一种选择性沉积单晶膜的方法。此方法包括：提供基底，此基底包括具有第一表面形态的第一表面与具有第二表面形态的第二表面，其中第二表面形态不同于第一表面形态。将矽前驱体与三氯化硼互混，形成原料气。在化学气相沉积条件下，将此原料气输送到基底。藉由引进原料气，在第一表面上选择性沉积含矽层，而不在第二表面上沉积含矽层。

主权项

一种利用化学气相沉积法来选择性沉积单晶矽膜的方法，包括：在反应室中提供基底，所述基底包括具有第一表面形态的第一表面与具有第二表面形态的第二表面，其中所述第二表面形态不同于所述第一表面形态；将矽前驱体与三氯化硼互混，从而形成原料气；在所述反应室内将所述基底暴露在所述原料气中；以及藉由所述暴露，在所述基底的所述第一表面上选择性沉积含矽层，而不在所述第二表面上沉积所述含矽层。