发明名称 |
防止三重接面崩溃的装置及防止离子植入机中三重接面不稳定的装置与方法 |
摘要 |
一种防止离子植入机中因三重接面崩溃之不稳定的高压绝缘体。在一实施例中,提供一种防止离子植入机之三重接面不稳定之装置,其具有第一金属电极与第二金属电极。绝缘体设置于第一金属电极与第二金属电极之间。绝缘体在第一金属电极与第二金属电极之间具有至少一表面,所述表面暴露于用于传输离子植入机所产生之离子束的真空之中。第一导电层设置于第一金属电极与绝缘体之间,第一导电层可防止发生于第一金属电极、绝缘体与真空之一介面的三重接面崩溃。第二导电层相对于第一导电层设置与第二金属电极与绝缘体之间。第二导电层可防止发生于第二金属电极、绝缘体与真空之一介面的三重接面崩溃。 |
申请公布号 |
TWI443705 |
申请公布日期 |
2014.07.01 |
申请号 |
TW097123375 |
申请日期 |
2008.06.23 |
申请人 |
瓦里安半导体设备公司 美国 |
发明人 |
张昇吾;辛克莱 法兰克 |
分类号 |
H01J37/248;H01J37/04;H01J37/00 |
主分类号 |
H01J37/248 |
代理机构 |
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代理人 |
詹铭文 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1;萧锡清 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1 |
主权项 |
一种防止三重接面崩溃的装置,包括:一第一金属电极;一第二金属电极;一绝缘体,设置于所述第一金属电极与所述第二金属电极之间,其中所述绝缘体在所述第一金属电极与所述第二金属电极之间具有至少一暴露于真空中的表面;一第一导电层,位于所述第一金属电极与所述绝缘体之间,其中所述第一导电层可防止发生于所述第一金属电极、所述绝缘体与所述真空之一介面的三重接面崩溃;一第二导电层,位于所述第二金属电极与所述绝缘体之间,且第二导电层相对设置于所述第一导电层,其中所述第二导电层可防止发生于所述第二金属电极、所述绝缘体与所述真空之一介面的三重接面崩溃;以及一第一O型环与一第二O型环,其中所述第一O型环夹于所述第一导电层与所述第一金属电极之间,且所述第二O型环夹于所述第二导电层与所述第二金属电极之间。 |
地址 |
美国 |