形成于整体或局部隔离基板上之应变环绕式闸极半导体装置;STRAINED GATE-ALL-AROUND SEMICONDUCTOR DEVICES FORMED ON GLOBALLY OR LOCALLY ISOLATED SUBSTRATES

摘要

说明形成于整体或局部隔离基板上之应变环绕式闸极半导体装置。例如，半导体装置包括一半导体基板。绝缘结构系设置于半导体基板上方。三维通道区系设置于绝缘结构上方。源极和汲极区系设置于三维通道区的任一侧和一外延种子层上。该外延种子层系由不同于三维通道区且设置于绝缘结构上的一半导体材料组成。闸极电极堆叠围绕该三维通道区，其具有设置于该绝缘结构上且侧面相邻于该外延种子层之一部分。