发明名称 |
矽晶圆之评价方法及其蚀刻液 |
摘要 |
于蚀刻液中之氢氟酸、硝酸、乙酸及水之容量比为(400):(5~10):(10~50):(80~120),且蚀刻液之总液量每1升含有碘或碘化物0.03g以上之蚀刻液,浸渍矽晶圆而选择性地蚀刻结晶缺陷部分。藉此,于矽晶圆表面出现直径10μm左右之椭圆形状之图案(LEP),并且观察到全LEP中之大部分为流体图案。剩余之LEP以如先前之椭圆形状之单独图案型态出现。藉此,提供一种矽晶圆之评价方法及其蚀刻液,其可不使用含有有害物质之重铬酸钾之液,且于LEP观察中具有与射哥液同等以上之能力,且容易地观察LEP。 |
申请公布号 |
TW201426890 |
申请公布日期 |
2014.07.01 |
申请号 |
TW102137056 |
申请日期 |
2013.10.15 |
申请人 |
信越半导体股份有限公司 |
发明人 |
矢崎善范;大高典雄 |
分类号 |
H01L21/66(2006.01);H01L21/306(2006.01);C09K13/08(2006.01);C01B9/06(2006.01);H01L21/304(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/66(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
阎启泰;林景郁 |
主权项 |
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地址 |
SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD. 日本 |