| 摘要 |
本发明系关于对半导体晶圆等的基板进行研磨而予以平坦化之研磨装置及研磨方法。本发明之研磨装置系具备：研磨平台10，具有研磨面；顶环14，藉由独立地对基板上的多数个第1区域施加按压力，而将基板往研磨平台按压；感测器50，检测多数个测量点之膜的状态；监测装置53，从感测器的输出讯号，针对基板上之多数个第2区域的各个区域生成监测讯号；储存有表示出监测讯号的基准值与研磨时间之间的关系之多数个基准讯号之记忆部；及控制部，以令对应于多数个第2区域的各个区域之监测讯号收敛于多数个基准讯号中的任一个之方式，操作对多数个第1区域之按压力。 |
