基板处理装置、半导体装置的制造方法及基板处理方法;SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF PROCESSING SUBSTRATE

摘要

本发明系维持膜厚之面间均匀性，并且抑制膜厚之面内分布成为凹之分布。基板处理装置具有：反应管；加热器，其系加热反应管内；保持器，其系在反应管内使复数片基板排列而加以保持；第一喷嘴，其系自与基板排列区域对应之区域之复数处向反应管内供给含氢气体；第二喷嘴，其系自与基板排列区域对应之区域之复数处向反应管内供给含氧气体；排气口，其系将反应管内排气；及压力控制器，其系以反应管内的压力成为低于大气压的压力之方式加以控制；第一喷嘴上设有复数个第一气体喷出孔，第二喷嘴上以至少与复数片基板之一片一片对应之方式，设有至少与复数片基板之片数同数之第二气体喷出孔。