发明名称 |
形成具有双侧式电晶体之动态随机存取记忆体的方法与鳍式场效电晶体结构 |
摘要 |
一种形成具有一双侧式电晶体的一动态随机存取记忆体的方法,包含有:提供一矽鳍式场效电晶体结构,其具有至少两个鳍片以及位于该两个鳍片之间的一沟槽;在每一鳍片的两侧形成复数个高电阻闸极;在每一对高电阻闸极之间形成一孔洞以使该高电阻闸极对得以相互连接;在该沟槽的一侧以及该高电阻闸极对之中一高电阻闸极的下方形成一闸极;形成一氧化层以覆盖该闸极;以及沉积一厚金属层于该沟槽中以形成一字元线。 |
申请公布号 |
TWI443809 |
申请公布日期 |
2014.07.01 |
申请号 |
TW100135209 |
申请日期 |
2011.09.29 |
申请人 |
南亚科技股份有限公司 桃园县龟山乡华亚科技园区复兴三路669号 |
发明人 |
郑林 沃纳 |
分类号 |
H01L27/108;H01L21/8242 |
主分类号 |
H01L27/108 |
代理机构 |
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代理人 |
吴丰任 新北市永和区福和路389号6楼之3;戴俊彦 新北市永和区福和路389号6楼之3 |
主权项 |
一种形成具有一双侧式电晶体之一动态随机存取记忆体的方法,包含有:提供一矽鳍式场效电晶体结构,其具有至少有两个鳍片以及位于该两个鳍片之间的一沟槽;在每一鳍片的两侧形成一对高电阻闸极,其中该对高电阻闸极包含彼此未直接接触之一左侧高电阻闸极与一右侧高电阻闸极,该左侧高电阻闸极与该右侧高电阻闸极分别形成于相对应之鳍片的左侧与右侧;在该对高电阻闸极所包含之该左侧高电阻闸极与该右侧高电阻闸极之间形成一孔洞,以使该对高电阻闸极得以相互连接;在该沟槽的单一侧以及该对高电阻闸极之中一高电阻闸极的下方形成一单侧式闸极;形成一氧化层以覆盖该单侧式闸极;以及沉积一厚金属层于该沟槽中以形成一字元线。 |
地址 |
桃园县龟山乡华亚科技园区复兴三路669号 |