发明名称 用于平面切换模式液晶显示装置的阵列基板及其制造方法
摘要 一种用于平面切换(IPS)模式液晶显示装置的阵列基板,包括:闸极线,形成在基板上以在第一方向延伸;共用线,形成在基板上以在第一方向延伸;资料线,形成以在第二方向延伸;薄膜电晶体,形成在闸极线与资料线之间的交叉处,其中薄膜电晶体包含闸极线、闸极绝缘层、主动层、源极电极及汲极电极;钝化膜,形成在包含薄膜电晶体的基板上;像素电极,形成在位于由闸极线与资料线所定义之像素区域上的钝化膜上,该像素电极电气连接至该汲极电极;共用电极,形成在该钝化膜上;以及共用电极连接线,连接至共用电极及共用线,其用电极连接线与共用线及汲极电极重叠。
申请公布号 TWI443432 申请公布日期 2014.07.01
申请号 TW100123570 申请日期 2011.07.04
申请人 LG显示器股份有限公司 南韩 发明人 李敏职
分类号 G02F1/1343;G02F1/1362;G02F1/1368 主分类号 G02F1/1343
代理机构 代理人 洪尧顺 台北市内湖区行爱路176号3楼
主权项 一种用于平面切换模式液晶显示装置的阵列基板,包括:一闸极线,形成在一基板上以在第一方向延伸,以及一闸极电极,从该闸极线延伸;一共用线,形成在该基板上以在该第一方向延伸;一闸极绝缘层,形成在包括该闸极电极、该闸极线以及该共用线的整个该基板上;一主动层,形成在该闸极绝缘层上;一资料线,形成以在第二方向延伸,以及一源极电极,从该资料线延伸,以及一汲极电极,形成与该源极电极隔开;一薄膜电晶体,形成在该闸极线与该资料线之间的交叉处,其中该薄膜电晶体包含该闸极线、该闸极绝缘层、该主动层、该源极电极以及该汲极电极;一钝化膜,形成在包含该薄膜电晶体的该基板上;一像素电极,形成在位于由该闸极线与该资料线所定义之一像素区域上的该钝化膜上,该像素电极电气连接至该汲极电极;一共用电极,形成在该钝化膜上;以及一共用电极连接线,连接至该共用电极及该共用线,其中该共用电极连接线与该共用线及该汲极电极重叠。
地址 南韩