奈米线尺寸之光电结构及改质其经选定部分之方法;NANOWIRE SIZED OPTO-ELECTRONIC STRUCTURE AND METHOD FOR MODIFYING SELECTED PORTIONS OF SAME

摘要

本发明提供一种用一种物质处理LED结构之方法,该LED结构包括平坦支撑物上之奈米线阵列。该方法包括在来源处产生物质且使其沿线路移动至阵列处。在自支撑物之中心量测时,在该物质所遵循的线路与支撑物平面之间的角度小于90。与由该物质处理之前相比,该物质能使该等奈米线之一部分不导电或导电性更低。