光电伏打电池及其制造方法;PHOTOVOLTAIC CELL AND PROCESS OF MANUFACTURE

摘要

本发明揭示一种由一单件半导体材料制造之材料。该半导体材料可系一n型半导体。此一所制造材料可具有一顶部层,该顶部层具有一结晶结构、转变为一转变层、进一步转变为一中间层且进一步转变成块体基板层。该结晶结构之结晶孔之定向在该材料之层中对准。该转变层或该中间层包含实质上等效于纯质半导体之一材料。本发明亦阐述一种用于藉由以下操作而由一单件半导体材料制造一材料之方法:将一顶部表面曝露于一能源直至发生该顶部表面之变换为止,而该材料之块体保持不变。该材料可展现光电伏打性质。