半导体装置;SEMICONDUCTOR DEVICE

摘要

本发明提供一种包含氧化物半导体层于通道形成区域中的电晶体，电晶体的临界电压被控制，为一种正常关态切换元件。切换元件包含第一绝缘膜，氧化物半导体层于第一绝缘膜上且氧化物半导体层包含通道形成区域，第二绝缘膜覆盖氧化物半导体层，源极电极层及汲极电极层电连接至氧化物半导体层。半导体装置更包含第一闸极电极层重叠通道形成区域且第一绝缘膜于其间，第二闸极电极层重叠通道形成区域且第二绝缘膜于其间，及第三闸极电极层于通道宽度方向重叠氧化物半导体层的侧面且第二绝缘膜于其间。