半导体晶粒封装与封装上封装装置;SEMICONDUCTOR DIE PACKAGE AND PACKAGE ON PACKAGE DEVICE

摘要

在多种实施例中，TPV的形成机制包含多层导电层及/或凹陷形成于晶粒封装与封装上封装(PoP)装置中，其采用TPV形成接合结构。多层导电层中的一者可作为TPV之主导电层的保护层。保护层较不易氧化，且与焊料接触时较慢形成金属间化合物(IMC)。TPV中的凹陷可填有另一晶粒封装的焊料，使IMC层低于TPV的表面，进而强化接合结构。