| 发明名称 |
半导体装置之制造方法 |
| 摘要 |
[课题]本发明系一种半导体装置之制造方法，其课题为在分离3次元构造之NAND快闪记忆体的加工之层积膜之闸极工程中，防止图案变形而塌陷情况。其解决手段系将构成上述快闪记忆体之记忆体单元的控制闸群之高度h与长度L的比，对于未引起有压曲之范围系作为不足1.65倍。理想系将闸极电极之宽度w与长度L的比作为不足16.5倍。 |
| 申请公布号 |
TW201426871 |
申请公布日期 |
2014.07.01 |
| 申请号 |
TW102121548 |
申请日期 |
2013.06.18 |
| 申请人 |
日立全球先端科技股份有限公司 |
发明人 |
小藤直行;根岸伸幸;石村裕昭 |
| 分类号 |
H01L21/311(2006.01);H01L21/8247(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/311(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
林志刚 |
| 主权项 |
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| 地址 |
HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION 日本 |
