发明名称 |
记忆体控制装置及方法;MEMORY CONTROL DEVICE AND METHOD |
摘要 |
一种记忆体控制装置及方法控制具有部分阵列自我更新(Partial Array Self Refresh,PASR)功能且具有多个记忆段的记忆体。根据一实施范例,记忆体控制装置包括PASR组态暂存器、位址映射器、位址解码器以及位址选择器。PASR组态暂存器储存PASR组态。位址映射器依据位址偏移将输入位址组转换成映射位址组,映射位址组包括连续或落于限定范围内的至少一映射位址。位址解码器于写入时更新PASR组态。位址选择器于休眠或待命模式时,依据PASR组态暂存器产生更新位址组以设定记忆体的至少一模式暂存器,以让记忆体自我更新对应的至少一记忆段。 |
申请公布号 |
TW201426304 |
申请公布日期 |
2014.07.01 |
申请号 |
TW101150622 |
申请日期 |
2012.12.27 |
申请人 |
财团法人工业技术研究院 |
发明人 |
王茂银;卢俊铭 |
分类号 |
G06F12/02(2006.01);G06F5/00(2006.01) |
主分类号 |
G06F12/02(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
许世正 |
主权项 |
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地址 |
INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE 新竹县竹东镇中兴路4段195号 |