发明名称 记忆体控制装置及方法;MEMORY CONTROL DEVICE AND METHOD
摘要 一种记忆体控制装置及方法控制具有部分阵列自我更新(Partial Array Self Refresh,PASR)功能且具有多个记忆段的记忆体。根据一实施范例,记忆体控制装置包括PASR组态暂存器、位址映射器、位址解码器以及位址选择器。PASR组态暂存器储存PASR组态。位址映射器依据位址偏移将输入位址组转换成映射位址组,映射位址组包括连续或落于限定范围内的至少一映射位址。位址解码器于写入时更新PASR组态。位址选择器于休眠或待命模式时,依据PASR组态暂存器产生更新位址组以设定记忆体的至少一模式暂存器,以让记忆体自我更新对应的至少一记忆段。
申请公布号 TW201426304 申请公布日期 2014.07.01
申请号 TW101150622 申请日期 2012.12.27
申请人 财团法人工业技术研究院 发明人 王茂银;卢俊铭
分类号 G06F12/02(2006.01);G06F5/00(2006.01) 主分类号 G06F12/02(2006.01)
代理机构 代理人 许世正
主权项
地址 INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE 新竹县竹东镇中兴路4段195号