| 发明名称 |
光阻组成物及光阻图型之形成方法;RESIST COMPOSITION, AND METHOD FOR PRODUCING RESIST PATTERN |
| 摘要 |
本发明提供一种使用新颖之光反应型抑制剂时，即可改善感度及微影蚀刻特性之光阻组成物，及使用该光阻组成物之光阻图型之形成方法。一种光阻组成物，其为一种经由曝光而产生酸，经由酸的作用而对显影液之溶解性产生变化之光阻组成物，其为含有经由酸的作用而对显影液之溶解性产生变化之树脂成份(A)，与光反应性抑制剂(D0)所形成，其特征为，前述光反应性抑制剂(D0)为含有下述通式(d0)所表示之化合物(D0-1)。[式中，R 1 、R 2 为可具有取代基之碳数1~10之烷基，R 3 、R 4 为可具有取代基之碳数2~10之烷基，R 3 与R 4 ，可与其所键结之硫原子共同形成环，X - 为对阴离子]。 |
| 申请公布号 |
TW201426169 |
申请公布日期 |
2014.07.01 |
| 申请号 |
TW102134821 |
申请日期 |
2013.09.26 |
| 申请人 |
东京应化工业股份有限公司 |
发明人 |
清水贵弘;森贵敬 |
| 分类号 |
G03F7/004(2006.01);H01L21/027(2006.01) |
主分类号 |
G03F7/004(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
林志刚 |
| 主权项 |
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| 地址 |
TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD. 日本 |
