发明名称 |
发光二极体晶粒及其制作方法 |
摘要 |
一种发光二极体晶粒,其包括:基板;形成于所述基板上的磊晶层,该磊晶层包括依次生长的第一半导体层、发光层及第二半导体层;在该磊晶层与该基板之间的复数个间隔设置的球形氮化铝,该第一半导体层完全覆盖该复数个球形氮化铝。 |
申请公布号 |
TWI443865 |
申请公布日期 |
2014.07.01 |
申请号 |
TW100127314 |
申请日期 |
2011.08.02 |
申请人 |
荣创能源科技股份有限公司 新竹县湖口乡新竹工业区工业五路13号 |
发明人 |
黄嘉宏;黄世晟;凃博闵;杨顺贵;林雅雯 |
分类号 |
H01L33/10 |
主分类号 |
H01L33/10 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种发光二极体晶粒的制作方法,其包括以下步骤:提供一基板,该基板由蓝宝石、碳化矽、矽或氮化镓制成;在基板上依次磊晶形成缓冲层与过渡层;在过渡层表面镀上一层铝膜;在该铝膜的上表面做氮化处理,即铝膜与氨气在高温下反应形成复数个间隔设置的球形氮化铝;继续在该过渡层上生长磊晶层,该磊晶层包括依次生长的第一半导体层、发光层及第二半导体层;分别在第一半导体层与第二半导体层表面上形成第一电极与第二电极。 |
地址 |
新竹县湖口乡新竹工业区工业五路13号 |