取代有缺陷的记忆体区块以回应外部位址

摘要

本发明提供运作记忆体装置之电子系统及方法。在一个此实施例中，一记忆体装置接收一外部位址，该外部位址代替该记忆体装置之一记忆体区块序列中之一有缺陷的记忆体区块定址该记忆体区块序列中之一无缺陷的记忆体区块以使得该无缺陷的记忆体区块取代该有缺陷的记忆体区块。该无缺陷的记忆体区块系在记忆体区块序列中之有缺陷的记忆体区块之后的邻近无缺陷的记忆体区块，(其可用于取代该有缺陷的记忆体区块)。

主权项

一种运作一记忆体装置之方法，其包含：接收一外部位址，其代替该记忆体装置之一记忆体区块序列之一有缺陷的记忆体区块定址该记忆体区块序列之一无缺陷的记忆体区块以使得该无缺陷的记忆体区块取代该有缺陷的记忆体区块；及根据该无缺陷的记忆体区块之实际位置将一电压延迟校正应用于取代该有缺陷的记忆体区块之该无缺陷的记忆体区块；其中该无缺陷的记忆体区块系在该记忆体区块序列中之该有缺陷的记忆体区块之后的一邻近无缺陷的记忆体区块，其可用于取代该有缺陷的记忆体区块。