发明名称 基板处理设备、清除设备、制造半导体装置的方法及记录媒体;SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, PURGING APPARATUS, METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND RECORDING MEDIUM
摘要 基板处理设备包括:处理器皿,被组构成处理基板;第一清除部,被组构成执行第一清除,以第一流率供应钝气到容纳该基板之基板容器内;以及第二清除部,被组构成执行第二清除,以第二流率供应钝气到该基板容器内,该第二流率系低于该第一流率。
申请公布号 TW201426896 申请公布日期 2014.07.01
申请号 TW102135344 申请日期 2013.09.30
申请人 日立国际电气股份有限公司 发明人 平野诚;林昭成
分类号 H01L21/67(2006.01) 主分类号 H01L21/67(2006.01)
代理机构 代理人 林志刚
主权项
地址 HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. 日本