深矽蚀刻方法

摘要

本发明公开一种深矽蚀刻方法，该方法包括：沉积步骤，生成保护层以对蚀刻侧壁进行保护；蚀刻步骤，对蚀刻底部和蚀刻侧壁进行蚀刻；重复该沉积步骤和蚀刻步骤至整个深矽蚀刻过程结束；其中，还包括底部平滑步骤，该底部平滑步骤为：利用含氟气体执行电浆处理，以去除蚀刻底部由于沉积产生的聚合物；并且，该底部平滑步骤采用的制程压力小于该蚀刻步骤采用的制程压力，在整个深矽蚀刻过程中执行该底部平滑步骤至少一次。通过上述深矽蚀刻方法，在深矽蚀刻过程中抑制了蚀刻底部聚合物的逐渐增加，抑制微遮罩或者矽草的产生，从而提高深矽蚀刻的蚀刻速率以及选择比，并改善蚀刻底部的粗糙度。